カーボンニュートラル時代を切り開く：SiC市場の急成長
日本が2050年カーボンニュートラル達成を国家目標に掲げる中、シリコンカーバイド（SiC）市場が爆発的な成長を遂げている。SiCは、従来のシリコン半導体を凌駕する高耐熱・高耐圧特性を持ち、電動化社会の基盤技術として注目を集めている。特に、再生可能エネルギーやEV（電気自動車）の拡大が需要を加速させ、日本のワイドバンドギャップ（WBG）半導体市場全体を牽引。市場規模は2025年の11億米ドルから2035年には75億米ドルへ、年平均成長率21.3%で急拡大すると予測される。この中で、SiCセグメントが最大のシェアを占め、57.2%に達する見込みだ。
SiCの優位性は、その物性に由来する。耐熱温度が200℃以上と高く、電力損失を半分以下に抑えられるため、パワー半導体として理想的だ。太陽光発電や風力発電のインバーター、EVのインバーター・コンバーターで活用され、エネルギー効率を劇的に向上させる。例えば、EVではSiC採用により航続距離が20%延び、充電時間が短縮。産業用では、高圧・高温環境下のモーター駆動や電力変換で省エネ効果を発揮し、CO2排出を大幅削減する。日本政府のグリーン・トランスフォーメーション（GX）推進が追い風だ。内閣は今後10年で20兆円超を投じ、脱炭素化を加速。2035年までに電気乗用車販売を100%とする計画も、SiC需要を後押ししている。
政府の積極投資が市場を活性化させている。デンソー株式会社と富士電機株式会社のSiCパワー半導体共同生産計画に対し、約705億円の補助金が承認された。この総額2,116億円プロジェクトは、国内生産体制を強化し、サプライチェーンを安定化させる。加えて、半導体・AI分野に10兆円の公的支援を2030年までに投入。北海道を次世代半導体ハブに位置づけ、千歳市のRapidusファブプロジェクトに多額資金を充てる。これにより、SiCを含むWBG半導体のエコシステムが拡大、地域経済も活性化する。
企業動向も活発だ。2026年2月、RohmはTSMCからGaN技術ライセンスを取得し、浜松工場で650Vデバイス生産を開始。SiCとGaNの相乗効果で、EV・データセンター向け次世代デバイスを強化した。Mitsubishi Electricも5G/6G基地局向けGaNパワーアンプを開発中。これらはSiC市場の基盤を固め、電力インフラの脱炭素化を支える。日本ガイシのSi含浸SiCセラミック熱交換器も注目株だ。ステンレス鋼の7倍の熱伝導率を持ち、ハニカム構造で高温・高腐食環境に耐性。産業排ガスの未利用熱を高効率回収し、装置をコンパクト化。Smart Energy Week 2026（3月17-19日、東京ビッグサイト）で展示され、カーボンニュートラル貢献が期待される。
この急成長は、国際競争力強化の好機だ。中国・欧米勢が先行する中、日本は材料技術と政府支援で巻き返しを図る。SiCのコストダウンが進めば、再生エネ普及率向上とEVシフトが加速。結果、2030年温室効果ガス46%削減目標の実現に直結する。ただし、原料供給安定化と量産技術確立が課題だ。SiC市場は、カーボンニュートラル時代の「電力革命」を象徴し、日本経済の新成長エンジンとなるだろう。
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