半導体の最新情報

– インテルの次世代半導体製造技術: 2030年までに1兆個のトランジスタを半導体上に集積することを目指し、先進パッケージングやトランジスタ、配線層の技術を発表した。
– SLT（Selective Layer Transfer）技術: 無機赤外線レーザーを用いて行うSLTは、厚さ1μm以下の半導体ダイと半導体ダイの接合を従来比で100倍以上のスループットで行える。