High-NA EUV露光技術が半導体業界に与える革新と未来展望
半導体産業はムーアの法則の進行とともに、微細化と高集積化のたびに巨大な技術的課題を乗り越えてきました。2025年、次世代半導体の要として急速に注目を集めているのが「High-NA（Numerical Aperture）EUV（極端紫外線）露光装置」です。今回は、韓国SKハイニックスが業界に先駆けて導入したHigh-NA EUV装置を軸に、同技術が切り開く半導体の次世代像について詳しく解説します。
—
High-NA EUV露光装置とは何か
既存のEUV露光装置は、波長13.5ナノメートルという極めて短い光を利用し、半導体回路をウェハー上に描写することで、従来のArF液浸露光装置よりもはるかに細かいライン&スペースを形成可能にしました。しかし、現在主流のEUV装置の開口数（NA）は0.33に留まっていました。これに対し、High-NA EUV装置は開口数を0.55まで高め、理論上、約8nm相当以下のパターン形成が可能とされています。
これにより、有効な解像度が一気に向上し、最先端のDRAMやロジック半導体における1.5nmノード以下の量産が現実味を帯びてきます。この「NAの拡大＝分解能の劇的向上」は、半導体パターンのさらなる縮小と高密度化につながり、チップ単位での性能・電力効率向上や、ウェハー当たりの歩留まり向上をもたらします。
—
SKハイニックス、産業界での初導入とインパクト
2025年9月、韓国SKハイニックスは世界で初めて、High-NA EUV露光装置を本稼働ファブに搬入したと報じられました。SKハイニックスがHigh-NA EUVを導入した利川（ウィチョン）M16ファブは、世界規模の量産DRAM製造拠点であり、AIやデータセンター用途で急増する先端メモリーの需要に対応する最前線です。
これまで相当な投資と技術障壁があったHigh-NA EUVですが、SKハイニックスによる本格稼働により量産技術の確立が加速し、今後世界中の先端ファブへの波及が予想されます。また、完成品半導体の歩留まりや性能競争で、「High-NA EUV導入済みか否か」が製品差別化の決定的要素になる可能性も出てきました。
—
次世代半導体の地殻変動
High-NA EUV装置の導入は、単に解像度向上だけにとどまらず、生産工程全体に波及効果をもたらします。
– 設計自由度の拡大
小型化によりトランジスタ数が増加し、高集積・高機能化が進行。次世代AIプロセッサや高速DRAM、先進的な3D NANDでも、新たな回路アーキテクチャの導入が期待されます。
– コスト競争力の向上
1ウェハー当たりのダイ歩留まりが増えれば、製品単価削減と供給拡大につながります。既存EUVからのスムーズな移行ができれば、設備投資対効果も高まります。
– サプライチェーン・産業構造の変化
装置納入元や部材サプライヤー、工程インテグレーターにとっても新たな市場機会が生まれます。High-NA EUVをめぐる米中韓欧・台湾の主導権争いも激化していく見通しです。
—
今後の課題と展望
High-NA EUVは、その仕組み上、量産現場での課題も多々存在します。例えば、レジスト材料の最適化やOPC（光学近接効果補正）などの周辺技術のブレイクスルー、装置自体の歩留まり安定化やメンテナンスインフラの構築が不可欠です。さらに、莫大な導入コスト、消費電力やクリーンルーム要件など、ファブ運営全体の高度化が求められます。
しかし、High-NA EUVが本格的な普及期へと突入すれば、1nmノード以降の技術ロードマップが現実性を持ち、半導体分野で新たな「ムーアの法則」の再加速が期待されます。AI・IoT・5G・クラウド・自動運転といった成長産業にとって、根幹技術となることは間違いありません。
—
High-NA EUVの登場によって、半導体微細化の限界を押し広げる新たな地平が開かれつつあります。今後数年で、国際的な技術覇権と製品競争の激化が予想される中、High-NA EUVは半導体産業の分水嶺として記憶されていくでしょう。
